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商品說明






創見4GB DDR3 Memory 204Pin SO-DIMM DDR3-1066MHz Unbuffer Non-ECC Memory

產品型號: TS512MSK64V1N

DDR3為新一代記憶體規格,相較於DDR2之4位元預取緩衝架構,DDR3的8位元預取緩衝架構可提供更快的傳輸速率及更大的傳輸頻寬;搭配雙核心或四核心的處理器,能大幅提昇電腦系統的整體效能。此外,DDR3記憶體模組的工作電壓為1.5 伏特,相對於需要1.8伏特電壓的DDR2模組而言,能有效減低20%至30%的耗電量,並確保高速運算時的系統穩定度及效能。創見桌上型電腦專用的 DDR3-1066及DDR3-1333記憶體模組,目前分別推出 1GB及2GB兩種容量,消費者可依需求選購。

創見 DDR3-1066及DDR3-1333桌上型電腦專用之盒裝記憶體模組採新式Fly-by電路架構設計,可使DRAM與控制器 (Controller)間的訊號傳輸更有效率;支援ODT(On-DIMM Termination)技術,可降低高速運作時記憶體訊號的回授,提高記憶體時脈的極限值。此外,其在佈線路徑、走線長度及電氣特性方面,均完全符合 JEDEC(the Joint Electron Device Engineering Council)的嚴格規範,可適用於嚴苛的工作環境,並避免雜訊干擾;搭載原廠128Mx8之FBGA記憶體晶片,可提供絕佳的電氣特性及散熱性,大幅提昇系統的整體效能。

產品特色:

記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固















破盤



商品規格


記憶體類型: DDR3 Memory
針腳及模組: 204Pin SO-DIMM
頻率: DDR3-1066MHz
功能: Unbuffer Non-ECC Memory
容量: 4GB
顆粒: 256Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓: 1.5 V
CL值: 7



資料來源:創見

※商品圖檔顏色因電腦螢幕設定差異會略有不同,以實際商品顏色為準
※以上規格資料若有任何錯誤,以原廠所公佈資料為準。

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